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IXSN 80N60BD1
Fig. 13. Dependence of Turn-off
Sw itching Tim e on Tem perature
Fig. 14. Gate Charge
300
275
250
t d(off)
t fi - - - - - -
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
I C = 160A
15
12
V CE = 300V
I C = 80A
I G = 10mA
225
200
V CE = 480V
9
175
150
I C = 80A
I C = 40A
6
125
100
75
I C = 160A
3
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
10000
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Capacitance
Q G - nanoCoulombs
f = 1 MHz
C ies
1000
C oes
100
C res
10
0
5
10
15 20 25
V C E - Volts
30
35
40
Fig. 16. Maxim um Transient Therm al Resistance
1.0
0.1
0.0
1
10
Pulse Width - milliseconds
100
1000
? 2004 IXYS All rights reserved
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IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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